【摘 要】
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采用廉价、低温的方法,在修饰过ZnO纳米粒子膜的ITO基底上成功制备出具有高长径比、高度取向的ZnO纳米棒阵列.用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射(XRD),高分辨透射电子显微镜(H
【机 构】
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北京大学化学与分子工程学院,北京航空航天大学材料科学与工程学院
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采用廉价、低温的方法,在修饰过ZnO纳米粒子膜的ITO基底上成功制备出具有高长径比、高度取向的ZnO纳米棒阵列.用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射(XRD),高分辨透射电子显微镜(HRTEM)以及拉曼光谱对制备出的ZnO纳米棒的结构和形貌进行了表征.测试结果表明,ZnO纳米棒是单晶,属于六方晶系,与基底垂直,具有沿(001)晶面择优生长的特征,并且ZnO纳米棒基本上无氧空位的存在.统计结果显示,水热反应2 h后90%以上的ZnO纳米棒直径为120～190nm,长度为4μm.
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