VHF-PECVD沉积本征微晶硅薄膜氧污染研究

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【摘要】

：

通过激活能测试装置测量VHF-PECVD高速沉积的本征微晶硅薄膜,并对不同沉积功率、不同沉积压强条件下沉积制备的样品的激活能进行了分析研究.结果表明:在不同功率、不同气压沉

【作者】

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陈庆东王俊平张宇翔卢景霄

【机构】

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滨州学院物理与电子科学系,山东,滨州,256600郑州大学材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052;

【出处】

：

真空

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

VHF-PECVD 微晶硅激活能

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通过激活能测试装置测量VHF-PECVD高速沉积的本征微晶硅薄膜,并对不同沉积功率、不同沉积压强条件下沉积制备的样品的激活能进行了分析研究.结果表明:在不同功率、不同气压沉积条件下沉积的微晶硅薄膜,激活能偏低,薄膜在沉积过程中被氧杂质污染;随着沉积功率的增大和沉积气压的增大,沉积速率随着提高,样品的激活能升高,通过提高沉积功率和沉积气压可以有效的抑制氧污染.

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