固态硬盘是用电子芯片，即闪存颗粒（图1）以电信号擦写记录存储内容，其最主要的闪存颗粒技术升级就是闪存的电信号的存储方式升级，能带来“存储密度”的增加。这些闪存颗粒技术也从最初始的SLC，经历了MLC、TLC，到如今正在兴起的QLC。而我们前面提到的大容量固态硬盘时代，则来自未来将取代QLC的PLC闪存颗粒技术。
　　具体来说，在这些闪存颗粒技术中，SLC每个存储单元只存储1bit数据，它的性能最好，寿命也最长。缺点就是成本最高，容量偏低。作为接替者，MLC每个存储单元可以存储2bit数据，所以同样的单元数量下，存储容量一下就翻倍了，也就是容量/成本比大幅提高。雖然因为存储方式更复杂，所以性能和寿命（擦写次数）比SLC要低，但是对消费者甚至商业用户来说完全够用了。

　　可是MLC的容量极限也很快达到了，因此又诞生了TLC闪存颗粒，这也是目前主流的固态硬盘闪存（图2），TLC的1个存储器存储单元可存放3bi t的数据，容量再次提升，同时成本也下降更多。不过代价就是性能和寿命进一步下降，当然通过控制方式、闪存和缓存的技术改良，性能和寿命也足以满足普通消费者。

　　目前正在逐步普及的是QLC闪存颗粒，它的一个存储器存储单元可存放4bit的数据（图3），比TLC更容易做成超大容量的产品，这也是为什么目前很多新型大容量固态硬盘价格很低的根本原因。截至目前，QLC闪存颗粒已经从设计之初的300次左右提升到了400次左右的P/E擦写循环（英特尔闪存颗粒），接近了TLC的正常擦写寿命（600次左右）。由于QLC固态硬盘的容量接近同价位TLC固态硬盘的两倍，例如1TB的英特尔660P（QLC）和760P（TLC）在2月初的电商旗舰店报价分别为1699元和1763元，所以把寿命从擦写次数转换成全盘可写入的数据量就会发现，同价位的QLC固态硬盘全寿命可写入数据量并不比TLC固态硬盘少。
　　这就是结束了吗？不要忘记，目前大家的主流水平就是512GB～1TB容量的固态硬盘，对比同价位主流机械硬盘2TB～4TB的容量是不是还有很大差距？即将到来的PLC闪存颗粒（图4）就将解决这一问题。
　　PLC的存储密度比QLC更高，每个存储单元可以保存5bit数据（图5），举例来说，使用目前主流的TLC闪存颗粒容量是256GB，同样的存储单元数量下，使用QLC技术为341GB，使用PLC技术则可以变成427GB。当然，这意味着其对主控、电路设计的要求也更高，因为PLC技术需要主控准确控制32路电压，挑战可谓相当大。当然了，寿命和写入性能肯定也会“更差”一些，不过大容量、大缓存设计可以在极大程度上弥补不足，所以无需特别担心。

　　怎么？还是不放心固态硬盘的擦写寿命？好吧，这里笔者可以给出一个计算公式（图6）。了解自己一天大概会存储（擦写）多少数据，就可以算出你的固态硬盘究竟有多少寿命（按照时间计算）可用，或者反推出自己希望使用的时间下，每天可以存储多少数据。计算公式里那个“P/E次数”即擦写次数，指的是全盘全部存储单元完整地擦除和写入一次的次数（其实就是擦写固态硬盘同容量大小的数据，主控芯片会将数据均匀地分配到整个硬盘的所有存储单元中），一般厂商都会直接提供相应的参数。
　　在实际的硬盘运作过程中，还会有写入放大、温度等影响数据量、寿命、性能的因素，我们这里给出的计算公式是一种比较“理想”的工作状态。要想让硬盘减少意外减寿等问题，最好在使用中注意良好的使用习惯，提供足够的散热能力。
　　PLC的单元存储容量提升虽然明显，但并不能带来倍增的效果，在闪存技术之外，芯片制造技术也是容量提升的重要因素。在固态硬盘的颗粒介绍中，我们常常可以看到所谓x x层x x x颗粒的说法，其中的x x层就是所谓的堆栈层数（图7），一般来说，同样的条件下，颗粒的容量与采用多少层堆栈呈正比关系。例如目前的主流堆栈层数是64层～96层，而PLC的堆栈数很可能从128层“起跳”，又为它增加了至少3 3%的容量。两种效果叠加，在PLC时代获得成倍甚至数倍于目前固态硬盘的容量，就变成了很轻松的事。