利用反应性离子镀定向形成氮化铝薄膜

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1、绪言在元素周期表Ⅲ—Ⅴ族化合物之一氮化铝膜是压电性电介体,而且,因为轻元素能有牢固的结合,音速大,作音响材料,在弹性表面波和光集成电路领域也被受重视。因为这种AlN膜有密集六方晶格,在和C 1. INTRODUCTION One of the group III-V compounds in the periodic table is an aluminum nitride film which is a piezoelectric dielectric. Moreover, since the light element has a strong bond, a large speed of sound, and an acoustic material, the surface acoustic wave and the light are integrated Circuit areas are also valued. Because this AlN film has a dense hexagonal lattice, and C
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