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研究了1 120 ℃高温淬火对非掺杂半绝缘LECGaAs中 EL2 浓度的影响．发 现真空条件下，在1 120 ℃热处理2 h ~ 8 h并快速冷却后，样品中EL2 浓度下降 近一个数量级．提高高温过程中的As压，可抑制 EL2 浓度的大幅下降．
高温淬火对GaAs中深施主缺陷的影响
【摘 要】
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研究了1 120 ℃高温淬火对非掺杂半绝缘LECGaAs中 EL2 浓度的影响．发 现真空条件下，在1 120 ℃热处理2 h ~ 8 h并快速冷却后，样品中EL2 浓度下降 近一个数量级．提高高温过程中的A
【机 构】
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河北工业大学电信学院
【出 处】
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河北工业大学学报
【发表日期】
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2001年1期
【基金项目】
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河北省自然科学基金
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