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Ⅲ—Ⅴ族晶片键合技术对于光电器件的制备和实现光电集成有着重要意义，然而，对于键合界面的电学性质仍然研究较少。采用热电子发射理论，基于界面态能级在禁带中连续分布的假设，根据分布函数结合I-V测试曲线可建立键合结构的界面态计算模型。利用该模型对不同条件下键合的InP／GaAs电学性质做了分析比较，通过初始势垒的确定，计算并比较了各种键合条件下GaAs／InP键合时的界面电荷及界面态密度。实验及计算结果表明疏水处理表面550℃条件下键合晶片对有更低的表面初始势垒和更少的界面态密度，具有更好的I—V特性。