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利用飞行时间谱直接测量了低能正电子与表面相互作用时的真空Ｐｓ产额．该方法比通常的峰法和峰－谷法准确、简单：利用该方法研究了Ａｒ＋溅射在Ｓｉ（１００）面上诱导的缺陷损伤及退火行为。
飞行时间法测量真空电子偶素产额研究低能离子溅射诱导的缺陷损伤
【摘 要】
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利用飞行时间谱直接测量了低能正电子与表面相互作用时的真空Ｐｓ产额．该方法比通常的峰法和峰－谷法准确、简单：利用该方法研究了Ａｒ＋溅射在Ｓｉ（１００）面上诱导的缺陷损伤及退火行为。
【机 构】
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中国科学技术大学结构分析开放实验室,中国科学技术大学
【出 处】
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核技术
【发表日期】
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1994年10期
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