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Atmel公司近日推出0．18μm的AT58900RFCMOS工艺技术，主要面向需要高速低功耗RF器件（如WLAN、WiMAX及ZigBee等应用）的ASIC代工用户。这种新工艺在200mm的晶圆上进行制造，可实现1．8VCMOS晶体管和大量阵列的无源元件，包括低容差的模拟聚乙烯电阻、N＋和P＋S／D电阻以及多达4层的金属层，其RF焊盘有助于降低接口阻抗。