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我们在超高真空(10<sup>-8</sup>Pa)中于GaAs（100）面上交替溅射淀积多层超薄Si-Pt膜(总厚约为50×10<sup>-10</sup>m),同时利作俄歇电子
多层超薄Pt-Si和GaAs相互作用的一个新现象
【摘 要】
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我们在超高真空(10<sup>-8</sup>Pa)中于GaAs（100）面上交替溅射淀积多层超薄Si-Pt膜(总厚约为50×10<sup>-10</sup>m),同时利作俄歇电子
【机 构】
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西安交通大学,西安交通大学
【出 处】
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自然杂志
【发表日期】
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1991年8期
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