【摘 要】
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采用硅衬底电极无催化剂制备横向ZnO纳米线,实现了二维氧化锌纳米线网电路的制备。本研究涉及的技术一方面可以为突破纳电子器件制备极限提供新技术参考;另一方面,去除了纳米
【机 构】
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西北工业大学,焦作师范高等专科学校,
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采用硅衬底电极无催化剂制备横向ZnO纳米线,实现了二维氧化锌纳米线网电路的制备。本研究涉及的技术一方面可以为突破纳电子器件制备极限提供新技术参考;另一方面,去除了纳米线生长过程中的金催化剂污染,降低成本,简化工艺。
The ZnO nanowires were prepared by using silicon substrate electrode without catalyst and the preparation of two-dimensional zinc oxide nanowire network was realized. On the one hand, the technology involved in this study can provide a new technical reference for the breakthrough of the preparation limit of nanoelectronic devices; on the other hand, the removal of gold catalyst contamination during nanowire growth reduces the cost and simplifies the process.
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