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采用VASP程序包模拟计算InGaN量子阱的能带，精细展示了量子阱实空间能带结构。计算结果表明，In原子所在区域出现局域束缚态，导带底与价带顶的筒并能级发生分裂，同时量子阱沿垂直结面方向存在分立的能级。此外，针对影响能带的In组分波动、能带弯曲等问题进行探讨，以准确描述其电子行为，从而深入系统地了解InGaN／GaN量子阱的电学光学等特性。