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将零厚度单向试件栅刻蚀工艺应用于晶须增韧氮化硅陶瓷基复合材料表面，通过记录试件所在桥路的输出电压值，可得到随载荷不断增大裂纹逐渐向前扩展过程中每一时刻的裂尖位置和裂纹长度，从而得到该种材料的阻力曲线。
陶瓷阻力曲线测定的新方法——断裂栅法
【摘 要】
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将零厚度单向试件栅刻蚀工艺应用于晶须增韧氮化硅陶瓷基复合材料表面，通过记录试件所在桥路的输出电压值，可得到随载荷不断增大裂纹逐渐向前扩展过程中每一时刻的裂尖位置和裂
【机 构】
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清华大学工程力学系
【出 处】
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固体力学学报
【发表日期】
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1996年4期
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