Cree发布S波段雷达用GaN HEMTs

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Cree在美国巴尔的摩召开的2011年IEEE国际微波会议上展出最新封装的GaN HEMT功率晶体管和2.7-3.5 GHz频段(S波段)的大功率放大器MMIC。其S波段晶体管CGH31240F和CGH35240F,完全匹配到50Ω,分别在 Cree unveiled the newly packaged GaN HEMT power transistor and the high-power amplifier MMIC in the 2.7-3.5 GHz band (S-band) at the 2011 IEEE International Microwave Conference in Baltimore, USA. The S-band transistor CGH31240F and CGH35240F, exactly matched to 50Ω, respectively, in the
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