用于快中子能谱测量的^6LiF夹心半导体谱仪

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本文介绍了^6LiF夹心谱仪的测量原理、自行设计研制的^6LiF夹心半导体谱仪探头结构及电子学系统组成等。在热中子场中测试了夹心谱仪的性能,获得了α粒子峰、T粒子峰及"和"峰在多道上的位置与能量分辨率,并用T粒子与"和"峰两个能量点的峰位对谱仪系统进行了能量刻度。分别用效应探头和本底探头测量了临界装置表面的效应谱和本底谱,当效应探头采用的6LiF镀层质量厚度为186μg/cm2时,^6LiF夹心谱仪对热中子的能量分辨率为363keV,测量中子最佳能区为0.3~7.5MeV,在该能区内,本底谱约占1%。
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