【摘 要】
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硅集成电路的按比例缩小技术进入深亚微米(小于100纳米)阶段以后,出现了一系列难以解决的设计问题,给设计人员带来了难以想象的困难.例如设计的复杂性,功率耗散,加工工艺偏差
【机 构】
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美国加州大学GigascaleSystemResearchCenter主任
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硅集成电路的按比例缩小技术进入深亚微米(小于100纳米)阶段以后,出现了一系列难以解决的设计问题,给设计人员带来了难以想象的困难.例如设计的复杂性,功率耗散,加工工艺偏差,以及可靠性问题等等,都向传统的设计方法提出了挑战.根据预测唯一可行的,需要进行长期研究的解决方案,就是彻底改变当前我们所采用的设计方式.本文将扼要介绍一些正在进行研究的可能的解决方案;这些具有创造性的设计方式将有助于为奠定超越硅器件以后时代(the post-silicon era)的新型设计方法的基础开辟道路.
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