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InGaAs/InAlAs/InP异质结构场效应晶体管的选择湿法腐蚀
InGaAs/InAlAs/InP异质结构场效应晶体管的选择湿法腐蚀
来源 :半导体情报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shinny321
【摘 要】
:
InGaAs/InAlAs/InP异质结构场效应晶体管的选择湿法腐蚀SelectiveWetEtchingforInGaAs/InAlAs/InPHeterostructureField-EffectTransistorsM.Tong等1引言异质结构...
【作 者】
:
Tong
M
梁玉英
【出 处】
:
半导体情报
【发表日期】
:
1995年2期
【关键词】
:
异质结
场效应晶体管
HFET
腐蚀
铟
镓
砷
铝
磷
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InGaAs/InAlAs/InP异质结构场效应晶体管的选择湿法腐蚀SelectiveWetEtchingforInGaAs/InAlAs/InPHeterostructureField-EffectTransistorsM.Tong等1引言异质结构...
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