【摘 要】
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以C2 H5 NS和In（ NO3）3为前驱物,采用简单的液相法成功制备了In2 S3纳米多级结构, C2 H5 NS作为硫源的同时也起到了模板剂的作用.研究结果表明,前驱物浓度对 In2 S3形貌控制起
【机 构】
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沈阳师范大学化学与生命科学学院,北京大学化学与分子工程学院,DepartmentofChemistry,南开大学化学学院
【基金项目】
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沈阳师范大学青年科研基金（批准号：054-55440109035）资助.
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以C2 H5 NS和In（ NO3）3为前驱物,采用简单的液相法成功制备了In2 S3纳米多级结构, C2 H5 NS作为硫源的同时也起到了模板剂的作用.研究结果表明,前驱物浓度对 In2 S3形貌控制起着重要作用.随着In（NO3）3/C2H5NS 摩尔比从1颐1.5增加到1颐6, In2S3纳米花呈现了不同的形貌和尺寸. XRD谱图显示, In2 S3纳米花晶体具有立方结构. SEM和TEM照片显示,制备的In2 S3纳米结构呈多级花状结构,这种结构由纳米片堆积组装而成.通过第一性原理计算并结合实验结
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