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研究了等离子体增强化学气相淀积（PECVD）法生长SiO2薄膜的内应力。借助XP-2型台阶仪和椭偏仪测量计算了SiO2薄膜的内应力，通过改变薄膜淀积时的工艺条件，如淀积温度、气体流量、反应功率、腔体压力等，分析了这些参数对SiO2薄膜内应力的影响。同时讨论了内应力产生的原因以及随工艺条件变化的机理，对工艺条件的优化有一定参考价值。