切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
期刊论文
基于多β晶体管的双边沿D触发器及其应用
基于多β晶体管的双边沿D触发器及其应用
来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ylycxr
【摘 要】
:
通过对多β晶体管的开关特性分析,结合其射极输入、射极输出、高速工作等特点设计了二值双边沿D触发器,计算机模拟表明刻设计具有正确的逻辑功能和高速的工作特性。文中还介绍了
【作 者】
:
周选昌
吴训威
【机 构】
:
浙江大学中心实验室,宁波大学电路与系统研究所
【出 处】
:
固体电子学研究与进展
【发表日期】
:
2000年3期
【关键词】
:
多Β晶体管
双边沿触发器
逻辑设计
multiple-βtransistordouble-edge-triggeredDflip-flopslogicdesig
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
通过对多β晶体管的开关特性分析,结合其射极输入、射极输出、高速工作等特点设计了二值双边沿D触发器,计算机模拟表明刻设计具有正确的逻辑功能和高速的工作特性。文中还介绍了双边沿D触发器在时序电路中的应用。
其他文献
离散小波变换的一种硬件实现
利用带状矩阵乘法技术 ,完成了新型的离散小波变换的一种硬件实现 ,并用 Verilog语言验证了设计方法。利用该方法可以大大增加设计的通用性。
期刊
离散小波变换
带状矩阵
信号处理
discrete wavelet transform(DWT) matrix digital IC
马来西亚从加入CPTPP到“一带一路”的内在逻辑
近几年的东南亚经济正在发生波动,域内五个重要国家在2018年的国内生产总值增幅仅为4.8%,三年来首次环比下降。2018年5月马来西亚大选以来,政府已经持续表达了对《全面与进步
期刊
马来西亚
马哈蒂尔
CPTPP
贸易摩擦
一带一路
六年制第十一册第五单元综合检测
期刊
六年制第十一册第五单元
综合检测题
小学
数学教学
浅析高中英语合作学习
合作学习是这几年来在语言教学实践中提出的一种全新的教育理论。本文试在“合作学习”的理论基础上,结合相关实践,深入探究高中生英语学习的方法,为高中的英语教学提供帮助。
期刊
高中英语
合作学习
教学模式
“救命”与“救火”
期刊
小学
数学教学
解题方法
思维方法
应用题
HVLS排风扇和水喷淋系统二期报告
美国消防研究基金会发布了关于商品仓库中HVLS排风扇对自动水喷淋系统的影响的二期试验报告。在这项研究中,对HVLS排风扇对自动水喷淋系统的性能的影响进行了评估。
期刊
水喷淋系统
排风扇
试验报告
基金会
仓库
消防
电脉冲对调制下BST铁电材料对红外辐射的响应特性
采用电脉冲对调制的读出式电路,通过Tc略低于室温的钛酸锶钡(BST)系铁电陶瓷红外敏感材料的制备,在10~50℃下进行了红外辐射响应特性的测试.测试方法为:采用红外敏感元,使之与
期刊
电脉冲调制
红外辐射
响应特性
铁电材料
mdulation of electrical impulse infrared radiat ion couple
适于深亚微米器件模拟的Monte Carlo方法
讨论了用于深亚微米半导体器件模拟的Monte Carlo方法(MCM),探讨了确定自由飞行时间的自散射方法,并简要阐述了玻耳兹曼模型(BTM),漂移扩散模型(DDM)和流体动力学模型(HDM)之间的关系。
期刊
中载流子
深亚微米器件
半导体器件
计算机模拟
Monte Carlo Method(MCM) Freeflying Time Scattering Deep
一种简化的E^2PROM存储管I—V模型
提出一种FLOTOX E^2PROM存储管的电流-电压模型,模型的模拟结果和实验结果相吻合,该模型为精确设计和利用E^2PROM单元提供了理论基础。
期刊
电可擦
可编程
只读存储器
存储管
E^2PROM
E2PROMFLOTOXE2PROMCellCurrentvoltageModelDesignEEACC:1
开关电流神经网络
综述了开关电流神经网络实现问题,讨论了神经网络的两种模拟实现方法-开关电容和开关电流技术的特点,给出了神经网络的开关电流技术实现的一些基本单元电路,指出了这种实现技术存
期刊
神经网络
开关电流
电路理论与设计
NeuralNetworkSwitchedcurrent(SI)CircuitTheoryandDesign
与本文相关的学术论文