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2010年12月,美国IBM宣布找到了一种方法,可提高用于沟道的双层石墨烯FET的导通/截止比。用半导体材料制作源电极和漏电极,代替原来的金属源漏极,由此抑制截止状态下由漏电极流向源电极的泄漏电流,以这种方法构造的栅长为20nm的双层石墨烯FET,有望实现10^4左右的导通/截止比以及110mV/dec的S因子。