低压ZnO压敏电阻中Bi2O3-TiO2相变过程的研究

来源 :硅酸盐通报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：a69ywc97

【摘要】

：

在最高温度950℃、1050℃、1150℃、1250℃4个温度下，采用2种配方：98．3％ZnO-0．7％Bi2O3·1、0％TiO2（摩尔分数），相应的无TiO2配方99．3％ZnO-0．7％Bi2O3（摩尔分数），分别制备样品进行对比研究。

【作者】

：

许业文范卓维徐政孙丹峰

【机构】

：

同济大学材料科学与工程学院,苏州中普电子有限公司,总装备部工程兵科研一所

【出处】

：

硅酸盐通报

【发表日期】

：

2006年3期

【关键词】

：

低压氧化锌压敏电阻烧成温度氧化铋二氧化钛晶粒晶界 low-voltage ZnO varistor sintering temperature b

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在最高温度950℃、1050℃、1150℃、1250℃4个温度下，采用2种配方：98．3％ZnO-0．7％Bi2O3·1、0％TiO2（摩尔分数），相应的无TiO2配方99．3％ZnO-0．7％Bi2O3（摩尔分数），分别制备样品进行对比研究。发现前者在950℃和1050℃的烧结温度下，没有形成明显Bi2O3偏聚的晶界；在1150℃和1250℃下，却形成了清晰的富铋晶界。而后者在950℃、1050℃、1150℃、1250℃24个温度下均形成了非常明显且清晰可辨的ZnO晶粒和晶界。通过XRD及相对

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