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以氮化硅（Si3N4）和氧化铝（Al2O3）为起始原料，利用原位反应结合技术制备Si3N4多孔陶瓷．研究烧结温度和保温时间对Si3N4多孔陶瓷的微观结构、力学性能以及介电性能的影响．结果表明：烧结温度在1350℃以下，保温时间〈4h时，随着烧结温度的升高，保温时间的延长，样品的强度和介电常数增大；但条件超出这个范围，结果刚好相反；物相分析表明多孔陶瓷主要由Si3N4和Al2O3以及Si3N4氧化生成的SiO2（方石英）组成．所制备的多孔Si3N4陶瓷的气孔率范围为25．34％-48．86％，抗弯强度为34