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采用硅作为烧结助剂热压烧结SiC陶瓷，用扫描电镜、X射线衍射仪和热重分析仪研究了不同状态SiC陶瓷的氧化性能。结果表明：未预处理SiC在等温氧化过程中，600--1100℃区间内，等温氧化动力学曲线服从抛物线规律；而在1100～1300℃区间，则偏离了抛物线规律，氧化速率随温度的升高先增大后减小。经过高温预氧化处理之后，SiC试样在等温氧化过程中，氧化动力学曲线为直线，较未预处理试样氧化增重显著减少；连续升温氧化过程中，和未预处理试样相比，剧烈氧化开始温度升高，同时其氧化速率及最终的氧化增重均大幅度降低。