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掺砷碲镉汞是一科用于制作p-on-n器件和实现高性能碲镉汞探测器及多色红外焦平面阵列的关键材料。对掺砷碲镉汞的相关文献进行了归纳分析。砷渺活效率与退火条件及砷的浓度直接相关。对于掺砷浓度在10^16-10^18cm-3范围内的碲镉汞，通过300℃／16h和240℃／4sh两步退火可将样品前表面激活为P型材料，但汞空位的浓度相对于背面较高。样品背面靠近衬底处可能存在AsT和AsHg缺陷。