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中国激光1982年第9卷第3期 目录
【出 处】
:
中国激光
【发表日期】
:
1982年9期
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用一种模型对两波耦合进行了分析,导出了强度和相位的解析式。对影响两波耦合的参数进行了理论分析。分析了对BaTiO3光折变晶体的两波耦合的测量结果。
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Atomic layer deposition (ALD) is under active research for its many emerging applications. In the optical field, ALD opens fundamentally new research paths, providing extreme conformality and capacity to engineer new materials. ALD enables coatings which
用高温熔融法制备了Eu3 掺杂的碲酸盐闪烁玻璃。测试了Eu3 不同掺杂浓度玻璃样品的密度、差热特性、吸收、发射、激发光谱及X射线激发下的闪烁光谱。研究了不同Eu3 掺杂浓度对玻璃样品的密度、光谱性能的影响规律及掺杂离子的浓度猝灭效应。研究结果表明: Eu3 掺杂碲酸盐具有较大的密度和较强的闪烁发光, 随着Eu3 浓度增加, 由于Eu3 间的间距减小, 共振能量转移几率增大, 致使发光强度增强; 但当掺杂到7mol%的高浓度时, 会发生浓度猝灭效应。
相位敏感光时域反射计(φ -OTDR)中使用相干性较好的窄线宽光源,因传感光纤中光脉冲产生的散射光发生干涉,故可利用干涉光的变化检测外界扰动,检测灵敏度较高。但传统的幅度检测φ -OTDR的结果难以实现定量检测,需要进行相位解调。基于3×3迈克耳孙干涉仪的相位解调系统是一种较好的解调方案,但直接解调的结果存在空间分辨能力小于传统幅度检测φ -OTDR的问题。采用四路检测方法来保持φ
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针对硅光子集成回路缺少实用化光源的问题,提出了一种1.55 μm波段InP基FP激光器芯片、InP基PIN光电探测器芯片与硅光波导芯片集成模块的设计与制备方法。使用CMOS工艺兼容的硅光无源器件制备工艺,设计并制备了倒拉锥型端面耦合器,与锥形透镜光纤耦合效率为36.7 %。采用微组装对准技术将激光器芯片与硅波导芯片耦合、UV固化胶固化后耦合效率为35.8 %,1 dB耦合对准容差横向为1.2 μm,纵向为0.95 μm。