Relaxations and bonding mechanism of arsenic in-situ impurities in MCT: first-principles study

来源 :Transactions of Nonferrous Metals Society of China | 被引量 : 0次 | 上传用户:lyling0411
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砷的结构、电子的性质在原处,杂质 inHg_(1-x ) Cd_xTe (MCT ) 被联合完整潜力的线性扩充飞机波浪(FP-LAPW ) 和假潜在的方法基于密度的飞机波浪学习功能的理论。Structuralrelaxations,本地费用密度,状态的密度被计算在电子结构上调查杂质的效果。在杂质和主人原子之间的结合的特征被原子价费用密度和结合的费用密度的分析讨论。在 MCT 的砷杂质的两性的行为被显示出。缺点层次介绍了由在原处,砷杂质被单个粒子的电子精力计算决定,它在对试验性的结果的好同意。
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