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掺铟氧化锡（ITO）是一种宽带隙透明导电半导体材料，广泛地应用于各种平板显示器和气敏元件等。该文利用碳热还原方法成功制备出铟掺氧化锡“之”字形掺铟氧化锡纳米线结构，借助X射线衍射分析仪、透射电子显微镜、场发射扫描电子显微镜以及能谱分析观测纳米线的结构形貌以及成分分析，提出了一种“之”字形结构可能的形成模型，并进一步研究了氧化铟锡在室温下的光致发光性能；光致发光光谱主要包含有5个发光峰，分别是紫光峰（400nm）、蓝光峰（452Bin，470nm）、青光峰（487nm，497nm）。