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一种新型的无氧低氟等离子去屑工艺已开发应用于圆片级芯片尺寸封装。这种无氧去屑工艺。使用H2／N2混合气体作为主刻蚀剂，并携带微量含氟气体（CF4＜0.5%）。在H2／N2混合气体中添加CF4可加快BCB刻蚀速度。BCB刻蚀速度随温度上升而线性增加，并能在150℃至240℃的温度范围内作精确调整。已确认，对于BCB聚合物的去屑。这种无氧等离子工艺与传统的含氧离子工艺相比有着显著的优点，其中包括对二氧化硅和氮化硅上的BCB有极大的刻蚀选择率，而对铝、铜合金等金属引线无有害冲击。