论文部分内容阅读
采用浮区法生长了质量较好的Si:β-Ga2O3单晶,直径约为8mm,长度约为2cm。进行了x射线粉末衍射和x射线荧光分析,结果表明所得Si:β-Ga2O3单晶属于单斜晶系,而且Si确实进入了β-Ga2O3,格位中;在室温下测试了Si:β-Ga2O3吸收光谱,吸收截止边约为255nm,并分析了退火对吸收截止边的影响;测试了荧光发射谱,研究了不同激发波长对其紫外及紫色波段发光的影响。