采用双层栅极场板结构的LDMOS器件优化设计

来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：johnlzh0

【摘要】

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研究了一种N型50 V RFLDMOS器件的结构.该类型器件对击穿电压BV和导通电阻RDSon等直流参数具有较高要求,一般采用具有两层场板的 RESURF 结构.通过 Taurus TCAD 仿真软件对

【作者】

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慈朋亮

【机构】

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上海华力微电子有限公司

【出处】

：

电子元件与材料

【发表日期】

：

2016年8期

【关键词】

：

RFLDMOS 击穿电压导通电阻 RESURF 双层场板仿真 RFLDMOS breakdown voltage on-resistance RESURF

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研究了一种N型50 V RFLDMOS器件的结构.该类型器件对击穿电压BV和导通电阻RDSon等直流参数具有较高要求,一般采用具有两层场板的 RESURF 结构.通过 Taurus TCAD 仿真软件对器件最关键的两个部分即场板和 N 型轻掺杂漂移区进行优化设计,在提高器件击穿电压 BV 的同时,降低了其导通电阻 RDSon.最终仿真得到的击穿电压BV为118 V,导通电阻RDSon为23 Ω·mm.

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