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研究了一种N型50 V RFLDMOS器件的结构.该类型器件对击穿电压BV和导通电阻RDSon等直流参数具有较高要求,一般采用具有两层场板的 RESURF 结构.通过 Taurus TCAD 仿真软件对器件最关键的两个部分即场板和 N 型轻掺杂漂移区进行优化设计,在提高器件击穿电压 BV 的同时,降低了其导通电阻 RDSon.最终仿真得到的击穿电压BV为118 V,导通电阻RDSon为23 Ω·mm.