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用朗缪尔探针诊断了反应室内的等离子体密度,研究了CCl2F2等离子体对InSb-In薄膜的刻蚀,结果表明该实验装置能够产生高密度等离子体,在刻蚀样品表面等离子体密度达到6.7170×1010cm-3,CCl2F2等离子体能有效地对InSb-In薄膜进行刻蚀.
CCl2F2等离子体干法刻蚀InSb—In薄膜的研究
【摘 要】
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用朗缪尔探针诊断了反应室内的等离子体密度,研究了CCl2F2等离子体对InSb-In薄膜的刻蚀,结果表明该实验装置能够产生高密度等离子体,在刻蚀样品表面等离子体密度达到6.7170&#
【机 构】
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华南师范大学,华南师范大学
【出 处】
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传感器技术
【发表日期】
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2003年4期
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