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背面减薄技术对于提高量子阱红外焦平面探测器的性能有着重要的意义，通过衬底减薄能够缓解探测器芯片与读出电路的热膨胀失配，提高互连混成芯片可靠性，同时能够有效降低串扰。本文结合机械研磨、化学机械抛光和选择性湿法腐蚀技术，实现了量子阱探测器互连混成芯片的衬底完全去除。
量子阱红外探测器衬底完全去除技术研究
【摘 要】
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背面减薄技术对于提高量子阱红外焦平面探测器的性能有着重要的意义，通过衬底减薄能够缓解探测器芯片与读出电路的热膨胀失配，提高互连混成芯片可靠性，同时能够有效降低串扰。本
【机 构】
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华北光电技术研究所
【出 处】
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激光与红外
【发表日期】
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2014年11期
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