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本文对采用MOD法制备的PLZT(8/65/35)铁电薄膜的电性能进行了研究。MOD法可以在ITO/G,Pt/Ti/Si和Pt/LN基片上制备出具有优良铁电性能的PLZT铁电薄膜,采用Pt下电极的PLZT薄膜,Ps〉32μC/cm^2,而采用ITO电极的也得到了Ps=27μC/cm^2的好结果。本文还讨论了下电极和基片对薄膜电性能的影响。