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从ZnO纳米线的生长机制出发，重点讨论了催化剂在制备过程中的作用，比较了采用VLS和VS不同机制生长ZnO纳米线的优缺点，并结合二者特点发现采用金属自催化将是制备高质量ZnO纳米线阵列的一种有效方法。分析了几种有利于提高其场发射性能的后处理方法，经过适当的后处理ZnO纳米线晶体的结构将更加完善，场发射开启场、阈值场将进一步降低，电流密度和场增强因子也将随之大大提高。