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针对Ｇｅ薄膜应力较大的特点，采用热蒸发方式制备Ｇｅ膜。研究了不同脱膜剂和基片温度对Ｇｅ膜结构的影响。采用新的反粘脱膜工艺，制备出了比较满意的Ｇｅ薄膜靶。
Ge薄膜X光激光靶的研制
【摘 要】
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针对Ｇｅ薄膜应力较大的特点，采用热蒸发方式制备Ｇｅ膜。研究了不同脱膜剂和基片温度对Ｇｅ膜结构的影响。采用新的反粘脱膜工艺，制备出了比较满意的Ｇｅ薄膜靶。
【机 构】
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同济大学波耳固体物理研究所
【出 处】
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原子能科学技术
【发表日期】
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1996年1期
【基金项目】
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国家高技术强激光领域基金
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