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使用高分辨X射线衍射法（HRXRD）对金属有机物化学气相沉积（MOCVD）外延生长GaN薄膜进行微结构表征．首先采用绝对测量法精确测试了GaN薄膜的晶格常数，由此获得该GaN薄膜的应变与弛豫的信息．采用面内掠入射（IP—GID）法测定了GaN薄膜的位错密度以及位错扭转角．
利用高分辨X射线衍射仪表征GaN薄膜的结构特性
【摘 要】
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使用高分辨X射线衍射法（HRXRD）对金属有机物化学气相沉积（MOCVD）外延生长GaN薄膜进行微结构表征．首先采用绝对测量法精确测试了GaN薄膜的晶格常数，由此获得该GaN薄膜的应变与弛豫的
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室
【出 处】
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分析测试技术与仪器
【发表日期】
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2009年1期
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