【摘 要】
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磷化铟(InP)具备电子迁移率高、禁带宽度大、耐高温、耐辐射等特性,是制备空间辐射环境下电子器件的重要材料.随着电子器件小型化,单个重离子在器件灵敏体积内产生的位移损伤效应可能会导致其永久失效.因此,本文使用蒙特卡罗软件Geant4模拟空间重离子(碳、氮、氧、铁)在InP材料中的输运过程,计算重离子的非电离能量损失(non-ionizing energy loss,NIEL),得到重离子入射InP材料的位移损伤规律,主要结论有:1)NIEL值与原子序数的平方成正比,重离子原子序数越大,在InP材料中产生位
【基金项目】
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基础加强计划(批准号:2019-JCJQ-ZD-267)资助的课题.
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磷化铟(InP)具备电子迁移率高、禁带宽度大、耐高温、耐辐射等特性,是制备空间辐射环境下电子器件的重要材料.随着电子器件小型化,单个重离子在器件灵敏体积内产生的位移损伤效应可能会导致其永久失效.因此,本文使用蒙特卡罗软件Geant4模拟空间重离子(碳、氮、氧、铁)在InP材料中的输运过程,计算重离子的非电离能量损失(non-ionizing energy loss,NIEL),得到重离子入射InP材料的位移损伤规律,主要结论有:1)NIEL值与原子序数的平方成正比,重离子原子序数越大,在InP材料中产生位
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