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采用水热法于36#水热反应釜中在四种条件下制备了ZnO：Ga晶体,对比了四种参数条件下晶体的生长速度及生长质量,深入分析了过快生长速度工艺下晶体产生微孔的原因。在D工艺条件下（4MKOH＋0.25M LiOH＋1.25mlH2O2,360-340℃）获得了生长速度适宜、高质量的ZnO：Ga单晶,晶体最大尺寸达到32.36mm×27.46mm×5.52mm。Ga：ZnO晶体的生长习性为形成一个单锥六棱具有显露p锥面即（101-1）和负极面（0001-）的柱体,而柱显露m面（101-0）发