新型窄带隙半导体BiVO4的制备与性能表征

来源 :湖州师范学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fan20090603
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为了获得新型的窄带隙半导体可见光催化剂,以Bi(NO3)3、NH4VO3、NH3·H2O、NaOH和HNO3为原料,采用水热法在200℃温度条件下制备了BiVO4样品.采用X射线衍射光谱XRD和漫反射吸收谱DRS对BiVO4的物性进行了表征,并以偶氮染料甲基橙作为模拟污水研究了BiVO4的光催化性能.结果表明,BiVO4样品是单斜晶系,带隙为2.5eV的半导体,具有良好的可见光催化活性,是一类具有广泛应用前景的新型窄带隙半导体光催化剂.
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