论文部分内容阅读
本文报道采用双光束致发光手段研究In0.2Ga0.8As/GaAs本征样品及4种不同位置δ掺杂样品,观察到了由He-Ne激光导致的激光强度随附加的第二束激光发光(白光)强度变化百演变的现象,实验结果显示,未掺杂样品的光致发光增量增大,单边,双边掺杂样品的光致发光强度变化趋势一致,而阱中中心掺杂,界面掺杂样品随着白光强度的增强出现饱和趋势,应用光生载流子从表面到阱中在不同样品中的输运过程和辐射复合与