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采用改进的化学气相沉积法制备了尺寸为10／130um的掺Bi单包层石英光纤，把光纤分成若干组之后置于不同剂量的60Coγ辐射源下辐照，测试了光纤在辐照前后的吸收谱和荧光谱，并测试了光纤在全温度范围（一40—70℃）下荧光强度的变化．实验结果表明，辐照后700，800nm处的吸收峰显著增强，这是由于辐照导致更多Bi近红外活性中心的生成．976nm光抽运不同剂量辐照后的光纤，中心位于1230nm的荧光谱没有明显变化，验证了掺Bi石英光纤用于太空及辐照环境下光通信的可能性．在全温度范围内、分析了荧光强度的变化规