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我们研究了反铁电液晶（R）－1－甲基庚基－4（4”－n-十二烷基氧联苯－4' 碳烃氧基）－3－氧－苯甲酸盐铁电SmC ·相和正铁电SmCr 相的介电特性。对于S mCr相，在实验的频率范围内判别出3种介质张驰。低频下具有高介质损耗的2种驰过程归因于锥角φ附近分子的方位变化。这些驰豫现象与温度和外加偏置电场间有函数关系。除了2个低频损 耗过程外，还观察到一个额外的、强度较弱的损耗过程。