【摘 要】
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在n沟硅栅MOS工艺技术中,耐熔金属硅化物薄膜可望替代多晶硅金属化,截面积减小后的多晶硅金属化的电阻率使器件性能受到限制。已证明,金属和硅的同时共溅射对控制膜的成分以
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在n沟硅栅MOS工艺技术中,耐熔金属硅化物薄膜可望替代多晶硅金属化,截面积减小后的多晶硅金属化的电阻率使器件性能受到限制。已证明,金属和硅的同时共溅射对控制膜的成分以及后来的热处理都是有利的。
In n-type silicon gate MOS process technology, refractory metal silicide film is expected to replace the polysilicon metallization, cross-sectional area of the polysilicon after the reduction of the resistivity of the device performance is limited. Simultaneous co-sputtering of metal and silicon has proved to be advantageous for controlling the composition of the film and subsequent heat treatment.
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