MOCVD生长1．06μm InGaAs／GaAs量子阱LDs

来源 :光电子·激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sntatgh

【摘要】

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用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs量子阱,采用中断生长、应变缓冲层(SBL)、改变生长速度和调节Ⅴ/Ⅲ等方法改善InGaAs/GaAs量子阱的光致发光(PL)质量.PL结果表明,10 s生长中断

【作者】

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潘教青黄柏标张晓阳岳金顺秦晓燕于永芹尉吉勇

【机构】

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山东大学晶体材料国家重点实验室,山东华光光电子有限公司

【出处】

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光电子·激光

【发表日期】

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2003年6期

【关键词】

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MOCVD INGAAS/GAAS量子阱 LDs 半导体激光器应变量子阱中断生长应变缓冲层 strain quantum well(QW) metalor

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用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs量子阱,采用中断生长、应变缓冲层(SBL)、改变生长速度和调节Ⅴ/Ⅲ等方法改善InGaAs/GaAs量子阱的光致发光(PL)质量.PL结果表明,10 s生长中断结合适当的SBL生长的量子阱PL谱较好.该量子阱应用于1.06 μm激光器的制备,未镀膜的宽条激光器(100 μm×1 000 μm)有低阈值电流密度(110 A/cm2)和高的斜率效率(0.256 W/A,per.facet).

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