【摘 要】
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用紫外吸收光谱、荧光发射光谱、循环伏安法(CV)、微分脉冲伏安法(DPV)等手段研究了4个4-N,N-二苯胺基均二苯乙烯类化合物的光电性能,计算出它们的电离势(PI)在5.70～5.90 eV,
【机 构】
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大连理工大学精细化工国家重点实验室
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用紫外吸收光谱、荧光发射光谱、循环伏安法(CV)、微分脉冲伏安法(DPV)等手段研究了4个4-N,N-二苯胺基均二苯乙烯类化合物的光电性能,计算出它们的电离势(PI)在5.70～5.90 eV,带隙值(Eg)在2.78～2.88 eV,分析了电化学行为,讨论了取代基对吸收光谱、发射光谱和电子结构的影响.结果表明,引入供电子基团OCH3后,分子氧化电位降低,HOMO能量升高,电离势降低;引入吸电子基团-Cl后,氧化电位升高,LUMO能量降低,电子亲和势增加.取代基-C1和-OCH3都使化合物的带隙(Eg)减
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