【摘 要】
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英飞凌近日宣布推出第五代650 V thinQ!TM SiC肖特基势垒二极管,壮大其SiC产品阵容。英飞凌荣获专利的扩散焊接工艺早已应用于第三代产品,如今又成功地与更紧凑的全新设计和
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英飞凌近日宣布推出第五代650 V thinQ!TM SiC肖特基势垒二极管,壮大其SiC产品阵容。英飞凌荣获专利的扩散焊接工艺早已应用于第三代产品,如今又成功地与更紧凑的全新设计和最新的薄晶圆技术有机结合在一起,改进了热特性,并使一个优值系数(Qc x Vf)与英飞凌前代SiC二极管相比降低了大约30%。其结果
Infineon today announced the fifth generation 650 V thin Q! (TM) SiC Schottky barrier diode to expand its portfolio of SiC products. Infineon’s patented diffusion welding process, already used in the third generation, has now been successfully combined with more compact new designs and the latest in thin wafer technology to improve thermal characteristics and to make a merit coefficient (Qc x Vf) is approximately 30% lower than previous Infineon SiC diodes. the result
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From July 12 to July 30, 1982
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患儿，男，8岁。因头晕、恶心、呕吐1天入院。发病前有不洁饮食史。入院查体；T36．7℃，P81次／min，R21次／min，BP14／10kPa。神志清，精神差，面色苍黄，轻度脱水貌。全县皮肤粘膜略干燥，弹性尚可。
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