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提出一种新型基于Si2N2O基体的LiNbO3行波调制器，利用有限元方法对该调制器进行数值分析并获得调制器的优化结构尺寸．该新型调制器带宽达到120GHz，半渡电压为3．5V，特性阻抗为50．2Ω．结果表明该调制器具有大的调制带宽和良好的阻抗匹配，在未来光通信中具有很好的应用前景．
Si2N2O基体铌酸锂调制器有限元法研究
【摘 要】
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提出一种新型基于Si2N2O基体的LiNbO3行波调制器，利用有限元方法对该调制器进行数值分析并获得调制器的优化结构尺寸．该新型调制器带宽达到120GHz，半渡电压为3．5V，特性阻抗为50．2Ω
【机 构】
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浙江大学信息学院光及电磁波研究中心
【出 处】
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光子学报
【发表日期】
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2006年1期
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