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对单晶硅片上热生长的ＳｉＯ２薄膜注入Ｓｉ，注入能量为１２０ｋｅＶ，剂量为２×１０＾１６ｃｍ＾－２在－５．０ｅＶ的子激发下，注Ｓｉ＾＋氧化膜可生产－２．７ｅＶ的蓝光发射，在退火处理中，发光强度先随退火温度上升而增大，在５００－６００℃时达到最大此后逐渐减小，这种蓝光发射是由于注入的过剩Ｓｉ引人位缺陷而产生的。