【摘 要】
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利用LEG法制备掺Fe0.03wt.%的InP晶体。样品观察在JEM-4000EX高分辨电镜上进行,电压为400kV,点分辨率为0.19nm(Cs=1mm),电镜中电子束产生的辐照为2.5×103e/cm2s。InP晶体是
【机 构】
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利用LEG法制备掺Fe0.03wt.%的InP晶体。样品观察在JEM-4000EX高分辨电镜上进行,电压为400kV,点分辨率为0.19nm(Cs=1mm),电镜中电子束产生的辐照为2.5×103e/cm2s。InP晶体是立方闪锌矿结构,空间群为F43m,单胞参数为a=0.5868nm。图1是InP扩展螺位错在[110]方向投影的高分辨像。
Preparation of doped Fe0.03wt.% InP crystal by LEG method. The sample was observed on a JEM-4000EX high resolution electron microscope at a voltage of 400 kV with a dot resolution of 0.19 nm (Cs = 1 mm) and an electron beam irradiation of 2.5 × 10 3 e / cm 2 s in an electron microscope. InP crystal is cubic sphalerite structure, space group F43m, unit cell parameters a = 0.5868nm. Figure 1 is a high-resolution image of InP Expansion Screw Projection projected in the [110] direction.
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