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本文利用K·P能带理论和形变势模型计算了应变对量子阱结构能带及能级的影响,提出了在压缩应变情况下,当固定发射波长时,利用InGaAsP做阱材料可对应变大小和阱宽进行独立控制,克服了应变较大时InGaAs阱材料阱宽较窄的困难。在伸张应变情况下,利用InGaAs做有源区较为合适。
InGaAs（P）／InP应变量子阱能带计算和有源区材料的选择
【摘 要】
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本文利用K·P能带理论和形变势模型计算了应变对量子阱结构能带及能级的影响,提出了在压缩应变情况下,当固定发射波长时,利用InGaAsP做阱材料可对应变大小和阱宽进行独立
【机 构】
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国家集成光电子重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大学电子科学系
【出 处】
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光子学报
【发表日期】
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1993年2期
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